CVD 200
自主研發(fā)8英寸（可向下兼容6英寸）等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設(shè)備。
分享
相關(guān)產(chǎn)品
描述
產(chǎn)品特點
1.基于硅烷體系薄膜沉積方案，可選TEOS 及硼磷摻雜工藝需求；
2.單腔體多工位設(shè)計，產(chǎn)能高；
3.獨立工位溫度控制，wafer 均勻性更好，膜質(zhì)更佳；
4.操作系統(tǒng)基于Windows進行研發(fā)的符合半導體標準軟件控制系統(tǒng)，操作人性化，符合國人操作習慣；
5.噴淋頭工藝間距可直接調(diào)整，維護簡單，設(shè)備利用率高；
6.向下兼容6英寸Wafer；
應(yīng)用領(lǐng)域
主要應(yīng)用于集成電路邏輯芯片、功率器件、傳感器等集成電路領(lǐng)域，可以沉積SiO 2 、 SiN、 SiON等介質(zhì)材料薄膜。
